il
die è diverso da marchio a marchio perchè la realizzazione pratica delle matrici originali (del modello) dipende dal processo produttivo del singolo produttore.
In poche parole --> ogni produttore ha il suo macchinario.
Quindi a parità di modello, e questo lo si vede anche dai datasheet, i
die non sono uguali.
Esempio 2SC5200, famossisimo transistor audio:
Toshiba:
http://www.toshiba.com/taec/components2 ... 6/7890.pdf
ST:
http://www.st.com/internet/com/TECHNICA ... 249630.pdf
sono datasheet semplificati. Spunta subito una diversa capacità parassita tipica (Cob): 150pF vs 200pF. ST ha il 25% di capacità parassita tipica in meno del Toshiba. Evidentemente non sono proprio lo stesso
die.
Giustamente, come anche scritto nella primissima pagina, Toshiba usa un processo produttivo a
tripla diffusione (tipico di Toshiba), mentre ST usa la tecnologia
BiT-LA proprietaria.
Addirittura, come si vede dal datasheet ST, tale modello è obsoleto ed è stato sostituito con una versione migliore:
http://www.st.com/internet/com/TECHNICA ... 163434.pdf
Mantiene le caratteristiche del vecchio 2SC5200 di ST, migliorando l'hfe minima.
Per non parlare del 2SC5200 di Fairchild, che ha ratings ancora più elevati per quanto riguarda la tenuta in tensione e corrente:
http://www.fairchildsemi.com/ds/FJ/FJL4315.pdf
Eppure la matrice base è sempre quella del 2SC5200. ISC è l'unica, in questo caso, a combaciare almeno a livello teorico:
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet- ... C5200.html
Dal punto di vista produttivo, i
die vengono prodotti tagliando dei wafer, cioè una matrice di decine di migliaia di
die.
Dopodichè ogni die viene riposto/incollato in un package, cablato ai rispettivi piedini, e incapsulato. Ed ecco il transistor come lo si conosce commercialmente.
Una cpu viene prodotta nello stesso modo (ovviamente il
die è milioni di volte più complesso), ma nessuno classifica la bontà di una CPU dal suo contenitore (socket).
Il contenitore viene sviluppato e scelto per permettere al
die di lavorare entro le specifiche.
Il TO3 tanto decantato, non è che abbia una forma "audiofila" o con strane proprietà magiche.
Il TO3 ha più superficie di dissipazione, essenzialmente più superficie di appoggio. Quindi offre meno resistenza termica di contatto, tra package e dissipatore. Tutto qui.
La resistenza termica è un parametro
meccanico, non elettrico.
Avere migliori capacità di dissipazione ha dei vantaggi che tutti noi possiamo cogliere, vantaggi a livello di smaltimento di calore.
Ma sono vantaggi
fisici, non elettrici.
Sui datasheet è indicata la resistenza termica tra package, che spesso è standardizzata per tipo di package: TO220AB ha un valore, TO220FP ha un'altro valore, TO247 ha un'altro valore, ecc ecc ecc.
Qua alcuni numeretti:
http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-972.pdf
Per esempio molti transistor vengono fatti in contenitore totalmente plastico (suffisso F o FP, full-pack), o in contenitore parzialmente metallico. Per esempio i TO220AB vs TO220FP.
I
die sono esattamente gli stessi, ma vengono incapsulati in differenti package. Perchè?
Perchè magari a qualcuno serve un transistor con contenitore isolato (per evitare elettrocuzione), o magari un applicazione a bassa potenza. Ovviamente spendono meno, a fronte di un transistor con le medesime caratteristiche del "normale" (con contenitore parzialmente metallico), a fronte di una minore dissipazione di calore (maggior resistenza termica tra package e dissipatore).
Esempio:
http://www.datasheetcatalog.org/datashe ... s/7544.pdf
Ovviamente la versione totalmente plastica ha degli
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS più bassi, proprio quelli che determinano la dissipazione: corrente, potenza massima, resistenza termica Rthj-case (1.36 vs 5).
Però il
die è identico. Cioè se vengono aperti, dentro sono fatti esattamente nella stessa maniera.
il motore (die) rimane lo stesso, sia che il coprimotore sia in plastica, in alluminio, grosso o piccolo, o giallo o blu.
ROTFL 
